移動(dòng) DRAM (Mobile DRAM)廠商正面對著庫存不足，以及因應(yīng)聰明手機(jī)(Smartpnohe)和平板裝置(Tablets)而生的對產(chǎn)量及帶寬需求，迫使業(yè)者必需轉(zhuǎn)向下一代技術(shù)的挑戰(zhàn)。
　　在廣泛的DRAM領(lǐng)域內(nèi)，所有業(yè)者都竭盡全力爭取移動(dòng)DRAM這一市場，但愿跟上此一領(lǐng)域?qū)Ξa(chǎn)量和帶寬需求的快速變化。
　　mobile DRAM是一種納入低功耗特性的特殊DRAM。包括爾必達(dá)(Elpida)、海力士(Hynix)、美光(Micron)和三星(Samsung)等主要供貨商，都面對著OEM客戶的智能手機(jī)和平板裝置熱銷所引發(fā)的庫存不足題目。據(jù)市場動(dòng)靜指出，爾必達(dá)將大部份PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)為出產(chǎn)mobile DRAM，以因應(yīng)蘋果(Apple)公司的iPad 2需求。
　　統(tǒng)一時(shí)間，手機(jī)市場的帶寬要求也不斷對當(dāng)代mobile DRAM技術(shù)提出挑戰(zhàn)，迫使廠商們朝下一代尺度轉(zhuǎn)移。
　　“對帶寬的要求已達(dá)到顛峰，”介入設(shè)計(jì)下一代內(nèi)存技術(shù)的Serial Port Memory Technology (SPMT)同盟總裁Jim Venable說。目前最快速的mobile DRAM技術(shù)──低功耗雙倍數(shù)據(jù)率2 (LPDDR2) mobile DRAM“也已經(jīng)快要走到盡頭了”，Venable表示。
　　各陣營都推出了下一代mobile DRAM技術(shù)，以響應(yīng)迫切需要更多帶寬的要求。目前主要參選技術(shù)有 LPDDR3, LPDDR4 ，移動(dòng)工業(yè)處理器接口同盟的M-PHY，Rambus的 Mobile XDR，Silicon Image公司的 SPMT 和 wide I/O。三星和其他業(yè)者支持wide I/O，而美光科技正在推動(dòng) LPDDR3。
　　三星半導(dǎo)體的mobile DRAM總監(jiān) Mueez Deen指出，要猜測哪個(gè)技術(shù)是贏家還為時(shí)過早，但他表示，未來針對主流設(shè)備，市場只能容納“一種新技術(shù)”，或有可能“前兩大技術(shù)并存”。
　　帶寬題目迫使業(yè)界不斷呼喊著新技術(shù)。舉例來說，LG電子最近推出具備‘裸視型’3D顯示、雙相機(jī)鏡頭和HD視訊功能的4G智能手機(jī) Optimus 3D 。
　　LG 的智能手機(jī)是采用德州儀器(TI)的 OMAP 4 雙核心應(yīng)用處理器，以及LPDDR2 mobile DRAM。另外，蘋果 iPad 2 也采用 LPDDR2 mobile DRAM。
　　然而，有些人甚至在 LPDDR2 量產(chǎn)前就以為該技術(shù)已經(jīng)由期了。基于LPDDR2的mobile DRAM技術(shù)具有最大8.5GB/s的峰值數(shù)據(jù)吞吐量，估計(jì)耗電量為360mW。到2013年，該工業(yè)的數(shù)據(jù)傳輸速率至少會(huì)達(dá)到500Mw、12.8GB/s，”Rambus策略開發(fā)副總裁Herb Gebhart說。
　　TI的OMAP 5應(yīng)用處理器產(chǎn)品線經(jīng)理Brian Carlson)表示，mobile DRAM未來也許要達(dá)到25.6GB/s的水平。目前的挑戰(zhàn)是如何開發(fā)出更快的技術(shù)，但又同時(shí)減小芯片尺寸及功耗，以延長電池壽命。
　　步履內(nèi)存的風(fēng)險(xiǎn)很高。在智能手機(jī)和平板裝置熱銷之前，mobile DRAM一直被以為是內(nèi)存市場中的“一灘死水”，IHS iSuppli分析師Mike Howard說。現(xiàn)在，因?yàn)橹悄苁謾C(jī)和平板裝置的緣故，mobile DRAM預(yù)估2011年可成長71%。
　　mobile DRAM的成長已超越整體 DRAM業(yè)務(wù)。在PC一片不景氣聲中，DRAM市場2011年預(yù)估將達(dá) 355億美元，比2010年的403億美元下跌11.8%，IHS表示。
　　未來，智能手機(jī)和平板裝置中的DRAM含量將從今天的512MB進(jìn)步到1GB，相較之下，PC的DRAM均勻含量3.4至3.5GB左右，Raymond James & Associates分析師Hans Mosesmann說。
　　因?yàn)槭謾C(jī)對尺寸與功耗的嚴(yán)格需求，mobile DRAM本錢大約是PC DRAM的2~4倍以上。mobile DRAM的業(yè)務(wù)模式是以依訂單出產(chǎn)(build-to-order)為主，驅(qū)動(dòng)價(jià)格下降的因素是本錢降低，而非像DRAM一樣依照供應(yīng)和需求的波動(dòng)，IHS的Howard說。
　　但跟著競爭加劇，可猜測的供應(yīng)/需求模型逐漸失效。現(xiàn)在的供應(yīng)和需求看來是平衡的，但第二季將泛起供過于求，Howard說。“另外，我們也看到下半年將泛起供給吃緊的情況。”
　　帶寬需求驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展
　　從技術(shù)端來看，該領(lǐng)域預(yù)期將泛起大幅的變化。上一代mobile DRAM是基于低功耗同步DRAM技術(shù)，最近一代的是LPDDR1。 LPDDR1 mobile DRAM是1.8V、200MHz的組件，吞吐量為400MB/s。
　　LPDDR1已經(jīng)遭遇機(jī)能極限，廠商們正在加速提供以LPDDR2為基礎(chǔ)的組件，這些1.2V的組件據(jù)說可降低50%以上的功耗。LPDDR2藉由采用數(shù)組自刷新等技術(shù)來達(dá)到降低功耗的目標(biāo)。
　　LPDDR2運(yùn)作在100~533MHz，數(shù)據(jù)傳輸速率從200~1,066MB/s。最多可將4個(gè)組件以層迭式封裝(PoP)整合，從而制造出總數(shù)據(jù)率8.5GB/s的產(chǎn)品。
　　就在業(yè)界廠商出產(chǎn) LPDDR2組件之際，美光則領(lǐng)先朝LPDDR3轉(zhuǎn)換，據(jù)表示，這種新組件運(yùn)作在800MHz，或可達(dá)1.6GB/s。在整合4個(gè)組件后，美光的mobile DRAM架構(gòu)總監(jiān)Dan Skinner表示，LPDDR3的峰值吞吐量可以達(dá)到12.8GB/s。
　　LPDDR2將能知足大多數(shù)步履通信系統(tǒng)的要求，但在短期內(nèi)，“前10%的最高階系統(tǒng)將會(huì)需要LPDDR3，Skinner說。Skinner同時(shí)主持JEDEC的LPDDR3任務(wù)小組。LPDDR3的終極草案規(guī)范將在今年底完成。
　　但競爭對手三星對LPDRR3反應(yīng)冷淡；LPDDR2的壽命還沒到盡頭，至少到2012年它都將是一種內(nèi)存選項(xiàng)，三星的Deen說。
　　三星已開始出貨 533MHz、4Gb的LPDDR2 mobile DRAM，采用30nm級(jí)技術(shù)。新組件將讓步履裝置擁有更長的電池壽命，Deen表示。
　　在此之前，必需用4個(gè)2Gb的LPDDR2芯片堆棧，以建構(gòu)一個(gè)儲(chǔ)存密度達(dá)1GB的組件。而現(xiàn)在，據(jù)Deen表示，只需堆棧兩個(gè)4Gb LPDDR2便可達(dá)到相同的1GB密度，同時(shí)可減少20%的封裝高度，且功率也能降低25%。
　　除了LPDDR2，三星已公布支持SPMT和wide I/O。wide I/O運(yùn)作在較低的頻率以降低功耗。傳統(tǒng) DRAM有多達(dá) 32個(gè)數(shù)據(jù)信道。據(jù)該技術(shù)的支持者指出，wide I/O DRAM則是四通道、128線(lane)技術(shù)，總共可提供512個(gè)I/O，總帶寬達(dá)12GB/s。
　　廠商們但愿2013年能推出wide I/O DRAM。在更遠(yuǎn)的未來，供貨商以為他們可采用基于硅穿孔(TSV) 3D堆棧技術(shù)來整合多個(gè)wide I/O內(nèi)存，但目前TSV昂貴的建置本錢和缺乏EDA工具支持還是主要障礙。
　　“TSV還沒有預(yù)備好，”SPMT的Venable說。LPDDR2已明天將來無多，而 LPDDR3 是一種‘治標(biāo)’的技術(shù)，盡管它速度快，但卻會(huì)消耗更多功率。
　　盡管尚未證明，但SPMT聲稱已握有解決方案。去年，SPMT拋卻了原有的串行方法，推出平行/串行混合技術(shù)。這種稱之為 SerialSwitch 的技術(shù)運(yùn)作在1.6GB/s平行模式，而在串行模式下每信道運(yùn)作速度可達(dá)6.4GB/s。
　　SPMT小組成員包括ARM、海力士、LG電子、Marvell、三星電子和Silicon Image。第一款基于SPMT的DRAM預(yù)計(jì)今年底問世。
　　在此同時(shí)，Rambus公司稱其Mobile XDR可提供高達(dá)17GB/s的帶寬。Mobile XDR補(bǔ)足了LPDDR3的不足之處，Rambus的Gebhart說。LPDDR3 500mW功耗閾值的特性已經(jīng)“超過”了這個(gè)工業(yè)的目標(biāo)，他說。“ LPDDR3確實(shí)可提供足夠的帶寬，但它的功率太高了。”
　　那么，下一步又是什么？部份業(yè)界人士已經(jīng)開始討論 LPDDR4──它可能實(shí)現(xiàn)，也可能不會(huì)實(shí)現(xiàn)。我們還可看到另一種技術(shù)M-Phy，該技術(shù)由步履工業(yè)處理器接口同盟支持。 MIPI規(guī)格是專門用于顯示器、相機(jī)、音頻、視訊、內(nèi)存、電源治理和基頻到射頻通信等應(yīng)用中的芯片-芯片接口。它與mobile DRAM有一些間接競爭關(guān)系，但對內(nèi)存也有一些影響。
　　行動(dòng)蹣跚的技術(shù)競賽
　　而下一代mobile DRAM技術(shù)誰將獲得最后勝利？盡管尚未有定論，但wide I/O DRAM技術(shù)看來輕微領(lǐng)先。據(jù)報(bào)導(dǎo)，諾基亞已通過該規(guī)格，而Hynix和三星也紛紛跟進(jìn)。
　　但其他的手機(jī)公司并未發(fā)表意見。摩托羅拉(Motorola)和RIM并未就此議題的采訪作出響應(yīng)。而蘋果則或許是全球最神秘的廠商。
　　一個(gè)最有可能的線索是觀察應(yīng)用處理器供貨商。應(yīng)用處理器支持的智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)和其他步履設(shè)備的很多功能，如無線連接、電源治理、音頻和視訊等。每一款應(yīng)用處理器也都支持特定OEM制造商認(rèn)可的mobile DRAM尺度。
　　作為應(yīng)用處理器供貨商，TI正緊密親密關(guān)凝視所有的技術(shù)尺度，但看來好像已泛起領(lǐng)先者。“wide I/O擁有很多上風(fēng)，”TI的Brian Carlson說。“終極整個(gè)工業(yè)將往該技術(shù)轉(zhuǎn)移。”
　　Qualcomm的應(yīng)用處理器副總裁Raj Talluri則表示，要猜測何者勝出為時(shí)尚早，但他同時(shí)指出，業(yè)界一直在企求“更多的CPU處理能力”，以知足新興數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的要求。
　　事實(shí)上，步履設(shè)備對帶寬激增的需求，也刺激業(yè)者推出更強(qiáng)盛的應(yīng)用處理器。該領(lǐng)域的主要競爭廠商包括Nvidia、高通(Qualcomm)和德州儀器。
　　今年稍早，高通宣布其Snapdragon系列應(yīng)用處理器的下一代架構(gòu)。該處理器微架構(gòu)代號(hào)是 Krait，據(jù)說每個(gè)核心可提供高達(dá) 2.5 GHz的速度。該技術(shù)是以ARM架構(gòu)和28nm制程為基礎(chǔ)，預(yù)計(jì)將推出單、雙核心和四核心版本。
　　TI最近推出采用28nm制程的多核心OMAP 5。該處理器將有兩個(gè)版本：針對聰明手機(jī)的OMAP5430；以及針對步履運(yùn)算和消費(fèi)性產(chǎn)品的OMAP5432。

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